产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: NVTFS5116PLWFTAG-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: QFN8(3X3)
**沟道类型**: Single P-Channel
**漏源电压 (VDS)**: -60V
**栅源电压 (VGS)**: ±20V
**阈值电压 (Vthtyp)**: -1.6V
**导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V: 75 mΩ
- VGS=10V: 60 mΩ
**漏极电流 (ID)**: -11A
**技术**: Trench

### 应用简介

NVTFS5116PLWFTAG-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装形式为 QFN8(3X3)，适合高密度 PCB 布局，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NVTFS5116PLWFTAG-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为 DC-DC 转换器、电池保护电路和负载开关的理想选择。例如，在便携式电子设备中，该 MOSFET 可以用于电池充电和放电管理，确保设备在低功耗和高效率之间取得平衡。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，NVTFS5116PLWFTAG-VB 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电压和电流特性使其适用于各种小型电机驱动应用，如电动工具、家用电器和工业自动化设备。例如，在电动工具中，该 MOSFET 可以用于驱动电机，提供稳定的动力输出和高效的能量转换。