产品简介："### 型号应用简介

**NVTFS030N06CTAG-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **QFN8(3X3)** 封装。该器件具有 **60V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），适用于多种高功率和高效率的应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）在 **VGS=4.5V** 时为 **35mΩ**，在 **VGS=10V** 时为 **28mΩ**，能够在高电流（ID=30A）下保持较低的功耗。此外，该 MOSFET 采用 **Trench** 技术，进一步提升了其开关速度和效率。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：35mΩ
- VGS=10V 时：28mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **NVTFS030N06CTAG-VB** 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **开关电源** 等电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其能够在高效率的电源转换中发挥重要作用，尤其是在 **同步整流** 和 **降压转换器** 中。

2. **电机驱动模块**：
- 在 **电机驱动** 应用中，该 MOSFET 可以用于 **H桥电路** 或 **三相逆变器**，驱动 **直流电机** 或 **步进电机**。其高电压和高电流能力使其能够应对电机启动和运行时的瞬时高电流需求。