产品简介："### 型号应用简介

**Si7414DN-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **QFN8(3X3)** 封装。该器件具有 **60V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS）能力，适用于多种高效率和低功耗的应用场景。其 **1.7V** 的典型阈值电压（Vthtyp）和低导通电阻（RDS(on)）使其在 **4.5V** 和 **10V** 的栅源电压下分别表现出 **35mΩ** 和 **28mΩ** 的优异性能。此外，该器件支持 **30A** 的连续漏极电流（ID），采用 **Trench** 技术，进一步提升了其开关效率和热性能。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **典型阈值电压（Vthtyp）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：35mΩ
- VGS=10V：28mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **Si7414DN-VB** 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **同步整流** 电路。其低导通电阻和高电流能力使其在 **高效率电源** 设计中表现出色，尤其是在 **笔记本电脑**、**服务器电源** 和 **通信设备** 的电源模块中。