产品简介："### 型号应用简介
**型号名称：NVMFD5873NLWFT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.7V**
**VGS=4.5V时导通电阻：17mΩ**
**VGS=10V时导通电阻：11mΩ**
**ID（最大漏极电流）：40A**
**技术：Trench（沟槽技术）**

### 产品详细参数说明
NVMFD5873NLWFT1G-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于高电压和高电流的应用场景。其典型阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，在 VGS=4.5V 时导通电阻为 17mΩ，在 VGS=10V 时导通电阻进一步降低至 11mΩ，最大漏极电流（ID）可达 40A。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术（Trench），具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效率的电源管理和功率转换应用。

### 应用领域及模块
1. **电源管理模块**
NVMFD5873NLWFT1G-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换中表现出色，特别适用于需要高功率密度和低损耗的场合。