产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: NTMFD5C674NLT1G-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: DFN5X6
**沟道类型**: Dual-N+N
**VDS (漏源电压)**: 60V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vthtyp (典型阈值电压)**: 1.7V
**VGS=4.5V时的导通电阻 (RDS(on))**: 17 mΩ
**VGS=10V时的导通电阻 (RDS(on))**: 11 mΩ
**ID (最大漏极电流)**: 40A
**技术**: Trench (沟槽技术)

### 应用简介

NTMFD5C674NLT1G-VB 是一款采用沟槽技术的双N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力。其60V的漏源电压和40A的最大漏极电流使其适用于多种高功率应用场景。该器件在VGS=4.5V和VGS=10V时的低导通电阻分别为17 mΩ和11 mΩ，这意味着它在低电压驱动下也能提供高效的功率转换。

### 应用领域

1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，NTMFD5C674NLT1G-VB 非常适合用于电源管理模块，如DC-DC转换器、AC-DC转换器和电池管理系统。在这些应用中，MOSFET的高效开关特性可以显著降低功耗，提高整体系统效率。

2. **电机驱动模块**: 在电机驱动模块中，如电动工具、家用电器和工业自动化设备，NTMFD5C674NLT1G-VB 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机驱动的高效和可靠运行。