产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NTMFD5C680NLT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.7V**
**VGS=4.5V时导通电阻：17mΩ**
**VGS=10V时导通电阻：11mΩ**
**ID（漏极电流）：40A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NTMFD5C680NLT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于中高功率应用。其典型阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，在 VGS=4.5V 时的导通电阻为 17mΩ，在 VGS=10V 时的导通电阻为 11mΩ，最大漏极电流（ID）为 40A。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适合高效率的电源管理和功率转换应用。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
NTMFD5C680NLT1G-VB 适用于电源管理模块，特别是需要高效率和高电流处理能力的场景。例如，它可以用于 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）和负载开关。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理模块中能够有效降低功耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，NTMFD5C680NLT1G-VB 可以用于驱动直流电机或步进电机。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够有效控制电机的启动、停止和速度调节，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动模块。