产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NVMFD024N06CT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.7V**
**VGS=4.5V时导通电阻：17mΩ**
**VGS=10V时导通电阻：11mΩ**
**ID（漏极电流）：40A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NVMFD024N06CT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于高电压和高电流的应用场景。其典型阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，能够在较低的栅极电压下实现高效导通。在 VGS=4.5V 时，导通电阻为 17mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻进一步降低至 11mΩ，这使得该器件在高电流应用中表现出色。最大漏极电流（ID）为 40A，适用于需要高功率传输的场合。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合高频开关应用。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NVMFD024N06CT1G-VB 适用于电源管理模块，尤其是在需要高效率和高功率密度的 DC-DC 转换器中。其低导通电阻和高电流能力使其能够在电源转换过程中减少能量损耗，提高整体效率。例如，在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，该器件可以用于同步整流和功率开关。