产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NVMFWD024N06CT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS：60V**
**VGS：±20V**
**Vthtyp：1.7V**
**VGS=4.5V：17(mΩ)**
**VGS=10V：11(mΩ)**
**ID：40A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NVMFWD024N06CT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），典型阈值电压（Vthtyp）为 1.7V。在 VGS=4.5V 时，导通电阻（RDS(on)）为 17mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻降低至 11mΩ。该 MOSFET 的最大漏极电流（ID）为 40A，采用 Trench 技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。

### 应用领域

1. **电源管理模块**
NVMFWD024N06CT1G-VB 适用于高效率的电源管理模块，如 DC-DC 转换器和同步整流器。其低导通电阻和高电流能力使其在电源转换过程中能够有效降低功耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机或步进电机。其高电流能力和快速开关特性使其能够提供稳定的电机控制，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。