产品简介："**型号简介：NVMFWD030N06CT1G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Dual-N+N
- **VDS（漏源电压）：** 60V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 1.7V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：17mΩ
- VGS=10V时：11mΩ
- **ID（漏极电流）：** 40A
- **技术：** Trench

**产品简介：**
NVMFWD030N06CT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率的功率管理应用。其 60V 的漏源电压和 40A 的漏极电流使其在多种高功率应用中表现出色。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，NVMFWD030N06CT1G-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统中的功率开关。
2. **电机驱动模块：** 在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机，提供高效的功率控制和保护。
3. **LED 驱动模块：** 在 LED 照明系统中，该器件可以用于 LED 驱动电路，提供稳定的电流输出和高效的功率转换。
4. **工业自动化：** 在工业自动化设备中，NVMFWD030N06CT1G-VB 可以用于控制电机、执行器和其他高功率负载，确保系统的可靠性和高效性。
5. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，该 MOSFET 可以用于电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）和其他高功率应用，提供可靠的功率控制和保护。