产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NVMFD030N06CT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.7V**
**VGS=4.5V时导通电阻：17mΩ**
**VGS=10V时导通电阻：11mΩ**
**ID（最大漏极电流）：40A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NVMFD030N06CT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于中高功率应用。其典型阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，能够在较低的栅极电压下实现高效的开关操作。在 VGS=4.5V 时，导通电阻为 17mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻进一步降低至 11mΩ，这使得该器件在高电流应用中表现出色。最大漏极电流（ID）为 40A，适用于需要高电流处理能力的场景。该 MOSFET 采用 Trench 技术，提供了优异的开关性能和热管理能力。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
NVMFD030N06CT1G-VB 适用于电源管理模块，特别是在 DC-DC 转换器和同步整流电路中。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效电源转换中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 可以用于驱动直流电机或步进电机。其高电流能力和快速开关特性使其在电机控制应用中能够提供稳定的性能，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。