产品简介："**型号简介：NVMFD5C672NLT1G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Dual-N+N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 60V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：17mΩ
- VGS=10V时：11mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 40A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
NVMFD5C672NLT1G-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 DFN5X6 封装设计紧凑，适合高密度集成的应用场景。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源管理模块。
2. **电机驱动模块：** 在电机驱动应用中，NVMFD5C672NLT1G-VB 可以提供高效的功率开关，适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机控制。
3. **电池管理系统（BMS）：** 该器件的高电压和电流特性使其成为电池保护电路和电池管理系统的理想选择，尤其是在电动车辆和储能系统中。
4. **工业自动化：** 在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于高功率开关和驱动电路，确保设备的高效运行和可靠性。
5. **消费电子：** 由于其紧凑的封装和高效性能，该器件也适用于消费电子产品中的电源管理和功率开关应用，如笔记本电脑、智能手机等。