产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NVMFD5C672NLWFT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（阈值电压）：1.7V**
**VGS=4.5V时RDS(on)：17mΩ**
**VGS=10V时RDS(on)：11mΩ**
**ID（漏极电流）：40A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NVMFD5C672NLWFT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于高电压和高电流的应用场景。其阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，确保在低电压下也能有效开启。在 VGS=4.5V 时，导通电阻（RDS(on)）为 17mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻降至 11mΩ，表现出优异的导通性能。该 MOSFET 的最大漏极电流（ID）为 40A，适用于高功率应用。采用 Trench 技术，进一步提升了器件的效率和可靠性。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
NVMFD5C672NLWFT1G-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效率和高功率密度的场合。其低导通电阻和高电流能力使其成为开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统的理想选择。例如，在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，该 MOSFET 可以有效降低功耗，提升整体效率。