产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: NVMFD5C674NLWFT1G-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: DFN5X6
**沟道类型**: Dual-N+N
**VDS (漏源电压)**: 60V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vthtyp (阈值电压)**: 1.7V
**RDS(on) (导通电阻)**:
- VGS=4.5V: 17mΩ
- VGS=10V: 11mΩ
**ID (漏极电流)**: 40A
**技术**: Trench

### 应用简介

NVMFD5C674NLWFT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，适用于高电压和高电流的应用场景。其阈值电压 (Vthtyp) 为 1.7V，表明该 MOSFET 在较低的栅极电压下即可开启。在 VGS=4.5V 时，导通电阻 (RDS(on)) 为 17mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻降至 11mΩ，这意味着在高栅极电压下，器件的导通损耗更低。最大漏极电流 (ID) 为 40A，适用于需要高电流处理能力的应用。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。

### 应用领域和模块

1. **电源管理模块**:
NVMFD5C674NLWFT1G-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效率和高电流处理的 DC-DC 转换器中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为开关电源和稳压器的理想选择。