产品简介："### 型号应用简介

**AON6884-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为 DFN5X6，适用于高密度、高效率的电源管理应用。其低 VGS 驱动电压和高 VDS 耐压特性使其在多种电源转换和电机驱动场景中表现出色。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装形式具有小型化、高散热性能的特点，适合空间受限的应用场景。

- **沟道类型**：Dual-N+N
双 N 沟道设计支持双向电流控制，适用于需要对称驱动的电路。

- **VDS（漏源电压）**：40V
较高的耐压能力使其适用于中低压电源系统。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽范围的栅极驱动电压增强了器件的兼容性。

- **Vth（阈值电压）**：3.1V
较低的阈值电压有助于降低驱动功耗。

- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：6.5mΩ
- VGS=10V 时：5.5mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提升了效率。

- **ID（漏极电流）**：60A
高电流承载能力使其适用于大功率应用。

- **技术**：Trench
Trench 技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度。

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
AON6884-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。例如，在便携式设备、服务器电源和工业电源模块中，它可以显著提高能效。