产品简介："**型号简介：Si7938DP-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Dual-N+N
- **VDS（漏源电压）：** 40V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3.1V
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：6.5mΩ
- VGS=10V时：5.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 60A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
Si7938DP-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高功率和高效率的应用场景。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，Si7938DP-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电源开关模块，能够有效提高电源转换效率。
2. **电机驱动模块：** 在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以提供高效的功率开关，适用于电动工具、无人机、机器人等设备的电机控制模块。
3. **电池管理系统（BMS）：** 在电池保护和管理系统中，Si7938DP-VB 可用于电池充放电控制，确保电池的安全和高效运行。
4. **工业自动化：** 适用于工业自动化设备中的功率开关和驱动模块，如 PLC、伺服驱动器等，提供可靠的功率控制解决方案。
5. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、LED 驱动、电机控制等模块，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。