产品简介："### 型号应用简介

**Si7288DP-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，封装为 DFN5X6。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的应用场景。其双 N 沟道设计使其在需要双向电流控制或同步整流的电路中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6，紧凑型封装，适合空间受限的设计。
- **沟道类型**：Dual-N+N，双 N 沟道设计，支持双向电流控制。
- **VDS（漏源电压）**：40V，适用于中低压应用。
- **VGS（栅源电压）**：±20V，提供宽泛的驱动电压范围。
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：3.1V，确保在低电压下可靠开启。
- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时，RDS(on) 为 6.5mΩ。
- VGS=10V 时，RDS(on) 为 5.5mΩ。
- **ID（漏极电流）**：60A，支持高电流应用。
- **技术**：Trench 技术，提供低导通电阻和高开关速度。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DC-DC 转换器、同步整流器。
- **说明**：Si7288DP-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，尤其是在高效率 DC-DC 转换器和同步整流器中，能够显著降低功耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：电动工具、无人机、机器人。
- **说明**：在电机驱动模块中，Si7288DP-VB 的双 N 沟道设计和高电流能力使其能够有效控制电机的启动、停止和反转，适用于需要高可靠性和高效率的电动工具、无人机和机器人等应用。