产品简介："### 型号应用简介

**IPG20N04S4-08-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高功率和高效率的电子应用，特别是在需要低功耗和高可靠性的场合。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，适合高密度 PCB 布局。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Dual-N+N
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：3.1V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：6.5 mΩ
- VGS=10V 时：5.5 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：60A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IPG20N04S4-08-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在降压、升压和反激式转换器中表现出色。
- **模块**：常用于服务器电源、通信设备电源和工业电源模块中。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动电路中，该 MOSFET 能够提供高效的功率转换和精确的电流控制，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动。
- **模块**：广泛应用于电动工具控制器、家用电器电机驱动板和工业自动化电机驱动模块。

3. **电池管理系统 (BMS)**：
- **应用**：在电池管理系统中，IPG20N04S4-08-VB 可用于电池充放电控制，确保电池的高效和安全运行。其低导通电阻有助于减少能量损耗，延长电池寿命。