产品简介："**型号简介：IPG20N04S4L-11-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Dual-N+N
- **VDS（漏源电压）：** 40V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3.1V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：6.5mΩ
- VGS=10V时：5.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 60A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
IPG20N04S4L-11-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高功率、高效率的应用场景。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，IPG20N04S4L-11-VB 非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）中，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块：** 在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机，提供高效的功率控制和保护功能。

3. **LED 驱动模块：** 在 LED 照明系统中，IPG20N04S4L-11-VB 可以用于 LED 驱动电路，确保稳定的电流输出和高效的能源利用。

4. **汽车电子模块：** 由于其高可靠性和耐压特性，该器件适用于汽车电子中的各种功率开关应用，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和电池管理系统。