产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: IPG20N04S4L-07-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: DFN5X6
**沟道类型**: Dual-N+N
**VDS (漏源电压)**: 40V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vthtyp (典型阈值电压)**: 3.1V
**VGS=4.5V时的导通电阻 (RDS(on))**: 6.5mΩ
**VGS=10V时的导通电阻 (RDS(on))**: 5.5mΩ
**ID (漏极电流)**: 60A
**技术**: Trench

### 应用简介

IPG20N04S4L-07-VB 是一款高性能的双N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其40V的漏源电压和60A的漏极电流使其非常适合用于高功率和高效率的开关应用。此外，其±20V的栅源电压范围和3.1V的典型阈值电压确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。

### 应用领域

1. **电源管理模块**: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，IPG20N04S4L-07-VB 非常适合用于电源管理模块，如DC-DC转换器、AC-DC转换器和电池管理系统。在这些应用中，MOSFET的高效率和低功耗特性可以显著提高整体系统的性能。

2. **电机驱动模块**: 在电机驱动模块中，IPG20N04S4L-07-VB 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机在高效运行的同时，减少能量损耗。

3. **LED驱动模块**: 在LED驱动模块中，IPG20N04S4L-07-VB 可以用于控制LED的亮度和开关。其高效率和低功耗特性使得LED驱动模块在长时间运行时仍能保持稳定的性能。