产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: SSM6J502NU-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: DFNWB2×2-6L
**沟道类型**: Single-P (单P沟道)
**VDS (漏源电压)**: -20V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vthtyp (典型阈值电压)**: -0.6V
**RDS(on) (导通电阻)**:
- VGS=2.5V: 40mΩ
- VGS=4.5V: 28mΩ
- VGS=10V: 20mΩ
**ID (漏极电流)**: -10A
**技术**: Trench (沟槽技术)

### 应用简介

SSM6J502NU-VB 是一款采用Trench技术的单P沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力。其封装形式为DFNWB2×2-6L，适用于高密度集成的应用场景。该器件在低栅源电压下表现出优异的导通性能，适合用于需要高效能开关和低功耗的电路设计。

### 应用领域与模块举例

1. **电源管理模块**:
- **应用**: 该MOSFET适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和电池保护电路。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能电源转换中表现出色。
- **模块举例**: 在便携式设备的电源管理模块中，SSM6J502NU-VB可用于实现高效的电压转换和电池保护，延长设备的使用时间。

2. **电机驱动模块**:
- **应用**: 在电机驱动模块中，该MOSFET可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和低导通电阻使其在电机驱动电路中表现出色。
- **模块举例**: 在无人机或小型机器人中，SSM6J502NU-VB可用于驱动电机，实现精确的速度控制和高效的能量转换。