产品简介："### 型号应用简介

SSM6J512NU-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFNWB2×2-6L，适用于空间受限的应用场景。该器件在低电压驱动下表现出优异的性能，适合用于高效率的电源管理和功率开关应用。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装形式紧凑，适合高密度 PCB 布局，广泛应用于便携式设备和模块化设计中。

- **沟道类型**：Single-P (N 沟道)
N 沟道 MOSFET 适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用。

- **VDS (漏源电压)**：-20V
该器件适用于低电压应用，如电池供电设备和低压电源系统。

- **VGS (栅源电压)**：±20V
宽范围的栅源电压允许器件在多种驱动条件下工作，增强了设计的灵活性。

- **Vth (阈值电压)**：-0.6V
低阈值电压使得器件在低电压驱动下也能有效导通，适合低功耗应用。

- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。

- **ID (漏极电流)**：-10A
高电流承载能力使其适用于大电流开关和电源管理应用。

- **技术**：Trench
Trench 技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度，适合高频应用。