产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: PMPB19XP-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: DFNWB2×2-6L
**沟道类型**: Single-P (单P沟道)
**VDS (漏源电压)**: -20V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vthtyp (典型阈值电压)**: -0.6V
**RDS(ON) (导通电阻)**:
- VGS=2.5V: 40mΩ
- VGS=4.5V: 28mΩ
- VGS=10V: 20mΩ
**ID (漏极电流)**: -10A
**技术**: Trench (沟槽技术)

### 应用简介

PMPB19XP-VB 是一款采用沟槽技术的单P沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装形式为DFNWB2×2-6L，适用于高密度集成的应用场景。该器件在低栅源电压下表现出优异的导通特性，适合用于需要高效能开关和低功耗的电路中。

### 应用领域

1. **电源管理模块**:
PMPB19XP-VB 适用于各种电源管理模块，如DC-DC转换器、电池保护电路和负载开关。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源转换中表现出色，特别是在便携式设备和电池供电系统中。

2. **电机驱动模块**:
在电机驱动模块中，PMPB19XP-VB 可以用于控制电机的启停和方向。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机驱动的高效性和可靠性，适用于小型电机、步进电机和伺服电机等应用。

3. **LED驱动模块**:
该器件也适用于LED驱动模块，特别是在需要高效能开关和低功耗的LED照明系统中。其低导通电阻和高电流承载能力确保了LED驱动的高效性和稳定性，适用于室内外照明、汽车照明和背光显示等应用。