产品简介："### 型号应用简介

**FDMA910PZ-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，适用于多种低电压、高电流的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧，适合空间受限的应用场景，同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-P（单 P 沟道）
P 沟道 MOSFET 适用于需要负电压驱动的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：-20V
该器件能够承受最高 -20V 的漏源电压，适合低电压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅源电压范围宽，支持正负电压驱动，增强了设计的灵活性。

- **Vth（阈值电压）**：-0.6V
低阈值电压使其在低电压驱动条件下表现优异，适合电池供电设备。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提升了效率。

- **ID（漏极电流）**：-10A
高电流处理能力使其适合高负载应用。

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### 应用领域与模块示例

1. **电源管理模块**
FDMA910PZ-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配单元。其低阈值电压和宽 VGS 范围使其能够在低电压条件下高效工作，适合便携式设备和电池供电系统。

2. **电池保护电路**
在电池保护电路中，FDMA910PZ-VB 可用于过充、过放和短路保护。其高电流能力和低导通电阻确保了在保护动作时能够快速响应并减少能量损耗。