产品简介："### 型号应用简介

**NTLJS3113PT1G-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款单沟道 P 沟道 MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和开关应用。其低阈值电压和宽工作电压范围使其在多种电子设备中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：-20V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：-0.6V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **漏极电流 (ID)**：-10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：NTLJS3113PT1G-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、电池充电器和电源开关。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源设计中表现出色。
- **模块**：DC-DC 转换器模块、电池管理模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动模块中，该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低阈值电压和高电流能力使其在电机控制应用中具有优势。
- **模块**：电机驱动模块、步进电机控制模块。