产品简介："### 型号应用简介

**NTLJS3113PTAG-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种低电压、高电流的应用场景。其优异的开关性能和低阈值电压使其在电源管理、电池保护和负载开关等领域表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：-20V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：-0.6V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **漏极电流 (ID)**：-10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：NTLJS3113PTAG-VB 适用于低电压电源管理模块，如 DC-DC 转换器和负载开关。其低导通电阻和高电流承载能力可以有效降低功耗，提高电源效率。
- **模块示例**：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理模块中，该 MOSFET 可用于电池充电和放电控制，确保设备在低电压下稳定运行。

2. **电池保护模块**：
- **应用场景**：在电池保护电路中，NTLJS3113PTAG-VB 可用于防止电池过充、过放和短路。其低阈值电压和快速开关特性使其在电池管理系统中表现优异。
- **模块示例**：在锂电池保护模块中，该 MOSFET 可用于控制电池的充放电路径，确保电池在安全电压范围内工作，延长电池寿命。