产品简介："**型号简介：FDMA291P-VB**

**品牌：** VBsemi
**封装：** DFNWB2×2-6L
**沟道类型：** Single-P（单P沟道）
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** -20V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** -0.6V
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **ID（漏极电流）：** -10A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
FDMA291P-VB 是一款由 VBsemi 推出的高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其沟槽技术确保了高效的功率转换和低功耗特性，适用于多种高密度、高效率的应用场景。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于便携式设备、电池管理系统（BMS）和 DC-DC 转换器中的功率开关和负载开关。
- 由于其低导通电阻和高电流能力，适合用于高效率的电源转换和功率分配。

2. **电机驱动模块：**
- 可用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人、电动工具等，提供高效的功率控制和驱动能力。

3. **消费电子：**
- 适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理和负载开关，帮助延长电池寿命并提高系统效率。

4. **工业控制：**
- 适合用于工业自动化设备中的低电压、高电流开关应用，如传感器控制、继电器驱动等。