产品简介："### 型号应用简介

STL6N3LLH6-VB 是由 VBsemi 公司生产的一款 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率、低功耗的电源管理和开关应用。其优异的电气特性使其在多种电子设备中表现出色，尤其是在需要高功率密度和高可靠性的场合。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：21 mΩ
- VGS=10V 时：17 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：STL6N3LLH6-VB 适用于 DC-DC 转换器、电池充电器和电源适配器中的开关电源模块。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。
- **模块**：在同步整流和负载开关模块中，该 MOSFET 可以有效降低功耗，提升整体系统效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动电路中，STL6N3LLH6-VB 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻使其在电机驱动模块中表现出色。
- **模块**：适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动模块。