产品简介："### 型号应用简介

SSM6K516NU-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸（2mm×2mm），适合空间受限的应用场景，同时提供良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道 MOSFET，适用于低侧开关和功率开关电路。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适合低压至中压的电源管理应用，如电池供电设备、DC-DC 转换器等。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
提供宽范围的栅极驱动电压，兼容多种控制电路。

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.5V
低阈值电压使其适合低电压驱动的应用，如便携式设备和 IoT 设备。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。

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### 应用领域及模块示例

1. **便携式设备**
SSM6K516NU-VB 的低阈值电压（1.5V）和低导通电阻使其非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备等便携式设备的电源管理模块。例如，在电池保护电路中，它可以作为低侧开关，实现高效的电流控制和保护功能。

2. **DC-DC 转换器**
在同步整流 DC-DC 转换器中，SSM6K516NU-VB 可以作为低侧开关，利用其低导通电阻和高电流承载能力，显著降低功率损耗，提高转换效率。适用于笔记本电脑、服务器电源等场景。