产品简介："### 型号应用简介

SSM6K517NU-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸（2×2mm），适合高密度 PCB 布局，适用于空间受限的应用场景。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道 MOSFET，适用于低侧开关和电源管理应用。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适用于低电压电源系统，如便携式设备、电池供电设备和低压 DC-DC 转换器。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
提供宽范围的栅极驱动电压，兼容多种控制电路设计。

- **Vth（阈值电压）**：1.5V（典型值）
低阈值电压使其能够在低电压下高效工作，适合低功耗应用。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。



### 应用领域及模块

1. **便携式电子设备**
SSM6K517NU-VB 的低导通电阻和低阈值电压使其非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备等便携式电子设备的电源管理模块。例如，在电池充电管理电路中，它可以作为低侧开关，实现高效的电能转换和低功耗运行。

2. **DC-DC 转换器**
在低压 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可以用于同步整流或开关模式电源（SMPS）的功率开关。其低 RDS(on) 和高电流能力有助于提高转换效率，减少热损耗，适用于笔记本电脑、服务器和工业电源模块。