产品简介："**型号简介：PMPB11EN-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFNWB2×2-6L**

**主要参数：**
- **沟道类型**：Single-N
- **VDS（漏源电压）**：30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V
- **RDS(on)（导通电阻）**：VGS=4.5V时为21mΩ，VGS=10V时为17mΩ
- **ID（最大漏极电流）**：10A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
PMPB11EN-VB是VBsemi推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为DFNWB2×2-6L，适用于高密度、小尺寸的电路设计。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流承载能力，PMPB11EN-VB非常适合用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统中的电源开关和同步整流应用。
2. **电机驱动模块**：在电机驱动电路中，该MOSFET可用于驱动小型电机或作为H桥电路中的开关元件，适用于无人机、机器人、电动工具等领域的电机控制。
3. **LED驱动模块**：在LED照明系统中，PMPB11EN-VB可用于LED驱动电路中的开关控制，提供高效的电流调节和稳定的驱动性能。
4. **便携式设备**：由于其小尺寸封装和低功耗特性，该MOSFET非常适合用于智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等便携式电子产品的电源管理和信号切换电路。

**总结：**
PMPB11EN-VB凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明和便携式设备等领域，是高效、可靠的小功率开关解决方案。"