产品简介："### 型号应用简介

PMPB33XN-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率、高密度的电源管理和功率转换应用。其优化的沟道设计和先进的 Trench 技术使其在低电压驱动下表现出色，特别适合需要快速开关和低功耗的场景。

---

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: PMPB33XN-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：21 mΩ
- VGS=10V 时：17 mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench（沟槽技术）

---

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
PMPB33XN-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。例如，在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统中，它可以有效降低功耗并提高转换效率。

2. **电机驱动模块**
由于其快速开关特性和高电流承载能力，PMPB33XN-VB 可用于小型电机驱动模块，如无人机、机器人、电动工具等。在这些应用中，它能够提供高效的功率输出并减少热量产生。