产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NTLUS4C12NTBG-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFNWB2×2-6L**
**沟道类型：Single-N**
**VDS（漏源电压）：30V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.5V**
**VGS=4.5V时导通电阻：21mΩ**
**VGS=10V时导通电阻：17mΩ**
**ID（最大漏极电流）：10A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NTLUS4C12NTBG-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其漏源电压（VDS）为 30V，栅源电压（VGS）范围为 ±20V，典型阈值电压（Vthtyp）为 1.5V。在 VGS=4.5V 时，导通电阻为 21mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻进一步降低至 17mΩ。该器件最大漏极电流（ID）为 10A，采用 Trench 技术，确保了高效能和可靠性。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NTLUS4C12NTBG-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、电池充电器和电源适配器。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源转换中表现出色，特别适合需要高效率和低功耗的应用场景。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，NTLUS4C12NTBG-VB 可以用于控制小型直流电机或步进电机。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机驱动的稳定性和高效能，适用于家用电器、工业自动化设备等。