产品简介："### 型号应用简介

**NVLUS4C12NTAG-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，适用于多种低电压、高电流的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装设计紧凑，适合空间受限的应用场景，同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于低侧开关和电源管理应用。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适用于低电压系统，如电池供电设备、便携式电子产品等。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
提供宽范围的栅极驱动电压，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V
低阈值电压使得器件在低电压驱动下也能有效导通，适合低功耗应用。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V：21mΩ
- VGS=10V：17mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统的整体效率。



### 应用领域与模块

1. **便携式电子设备**
NVLUS4C12NTAG-VB 适用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力确保了设备在低电压下的高效运行，延长了电池寿命。

2. **电池管理系统（BMS）**
在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池保护电路和充放电控制模块。其低阈值电压和高电流能力使其在电池充放电过程中能够有效控制电流，保护电池免受损坏。

3. **DC-DC 转换器**
该器件适用于低电压 DC-DC 转换器，尤其是在同步整流和降压转换器中。其高效的开关性能和低导通电阻有助于提高转换器的效率，减少能量损耗。