产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：FDMA7670-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFNWB2×2-6L**
**沟道类型：Single-N**
**VDS（漏源电压）：30V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.5V**
**VGS=4.5V时导通电阻：21mΩ**
**VGS=10V时导通电阻：17mΩ**
**ID（漏极电流）：10A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

FDMA7670-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET，采用DFNWB2×2-6L封装。该器件具有30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）范围，典型阈值电压（Vthtyp）为1.5V。在VGS=4.5V时，导通电阻为21mΩ，而在VGS=10V时，导通电阻降低至17mΩ。该MOSFET的最大漏极电流（ID）为10A，采用Trench技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关效率。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
FDMA7670-VB适用于电源管理模块，特别是在需要高效率和高电流处理能力的场合。由于其低导通电阻和高开关速度，该MOSFET可以用于DC-DC转换器、电池充电器和电源逆变器等模块中，帮助提高电源转换效率并减少能量损耗。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，FDMA7670-VB可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和低导通电阻使其适合用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人、电动工具等设备中的电机控制模块。