产品简介："### 型号应用简介

**NTLUS4930NTAG-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款 **Single-N** 沟道 MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。该器件具有 **30V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），典型阈值电压（Vthtyp）为 **1.5V**。在 **VGS=4.5V** 时，其导通电阻（RDS(on)）为 **21mΩ**，而在 **VGS=10V** 时，导通电阻降低至 **17mΩ**。该 MOSFET 的最大漏极电流（ID）为 **10A**，采用 **Trench** 技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关效率，适用于多种低电压、高电流的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.5V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：21mΩ
- VGS=10V：17mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **NTLUS4930NTAG-VB** 适用于低电压、高电流的电源管理模块，如 DC-DC 转换器、电池充电器和电源适配器。其低导通电阻和高开关效率有助于减少功率损耗，提高整体电源转换效率。

2. **电机驱动模块**：
- 在电机驱动模块中，该 MOSFET 可以用于控制小型直流电机或步进电机。其高电流能力和低导通电阻使其能够有效驱动电机，同时减少发热和能量损耗。