产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NTLUS4930NTBG-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFNWB2×2-6L**
**沟道类型：Single-N**
**主要参数：**
- **VDS（漏源电压）：30V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（典型阈值电压）：1.5V**
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- **VGS=4.5V：21mΩ**
- **VGS=10V：17mΩ**
- **ID（最大漏极电流）：10A**
- **技术：Trench（沟槽技术）**

### 产品详细参数说明

NTLUS4930NTBG-VB 是一款采用 Trench 技术的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFNWB2×2-6L，适用于高密度集成的应用场景。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻为 21mΩ，而在 VGS=10V 时进一步降低至 17mΩ，表现出优异的开关性能。其最大漏极电流为 10A，适用于中等功率的应用。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NTLUS4930NTBG-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器和同步整流器。在这些应用中，MOSFET 的低导通损耗和高效率是关键，能够有效降低系统的整体功耗。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，NTLUS4930NTBG-VB 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够有效驱动小型电机，适用于家用电器、电动工具和自动化设备中的电机控制。