产品简介："**型号简介：FDMA430NZ-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFNWB2×2-6L**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 30V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（阈值电压）：** 1.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：21mΩ
- VGS=10V时：17mΩ
- **ID（漏极电流）：** 10A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
FDMA430NZ-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高效率和低功耗的应用场景。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流能力，FDMA430NZ-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统中的功率开关。
2. **电机驱动模块：** 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人、电动工具等，提供高效的功率控制和驱动能力。
3. **LED 驱动模块：** 在 LED 照明系统中，FDMA430NZ-VB 可用于 LED 驱动电路，确保高效的电流控制和稳定的亮度输出。
4. **便携式设备：** 由于其小型封装和低功耗特性，该器件非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理和充电电路。
5. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，FDMA430NZ-VB 可用于车载充电器、LED 车灯驱动等模块，提供可靠的功率开关解决方案。