产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：FDS9958-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：SOP8**
**沟道类型：Dual-P+P**

FDS9958-VB 是一款双P沟道MOSFET，采用SOP8封装，具有低导通电阻和高耐压特性。其VDS为-60V，VGS为±20V，Vthtyp为-1.9V，适用于多种低电压、高电流的应用场景。该器件在VGS=4.5V时的导通电阻为145mΩ，在VGS=10V时为120mΩ，最大漏极电流（ID）为-4A。采用Trench技术，FDS9958-VB在效率和热性能方面表现出色，适合用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

### 产品详细参数说明

- **封装类型：** SOP8
- **沟道类型：** Dual-P+P
- **漏源电压（VDS）：** -60V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vthtyp）：** -1.9V
- **导通电阻（RDS(on)）：**
- VGS=4.5V时：145mΩ
- VGS=10V时：120mΩ
- **最大漏极电流（ID）：** -4A
- **技术：** Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块：**
FDS9958-VB 适用于低电压、高电流的电源管理模块，如DC-DC转换器、电池保护电路等。其低导通电阻和高耐压特性使其在电源转换效率方面表现出色，特别适合用于便携式设备、笔记本电脑和移动电源等需要高效能电源管理的应用。

2. **电机驱动模块：**
在电机驱动模块中，FDS9958-VB 可以用于控制小型电机的启停和方向。其双P沟道设计允许在H桥电路中实现双向控制，适用于小型机器人、无人机、电动工具等需要精确电机控制的应用。