产品简介："### 型号应用简介

**Si4948BEY-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款双P沟道MOSFET，采用 **SOP8** 封装。该器件具有 **-60V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），适用于需要高电压和高电流的电路设计。其阈值电压（Vthtyp）为 **-1.9V**，在 **VGS=4.5V** 时导通电阻为 **145mΩ**，在 **VGS=10V** 时导通电阻降至 **120mΩ**，最大漏极电流（ID）为 **-4A**。该器件采用 **Trench** 技术，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理和开关电路。

### 产品详细参数说明

- **封装**：SOP8
- **沟道类型**：双P沟道（Dual-P+P）
- **漏源电压（VDS）**：-60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：-1.9V
- **导通电阻（VGS=4.5V）**：145mΩ
- **导通电阻（VGS=10V）**：120mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：-4A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：Si4948BEY-VB 适用于电源管理模块中的开关电路，如DC-DC转换器、电池保护电路等。其低导通电阻和高开关效率有助于减少能量损耗，提升电源转换效率。
- **模块示例**：在便携式设备的电源管理模块中，该器件可用于电池充放电控制，确保设备在低功耗状态下稳定运行。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：在电机驱动模块中，Si4948BEY-VB 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。