产品简介："### 型号应用简介*

SQ4961EY-VB 是一款双P沟道MOSFET，采用SOP8封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其设计适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和开关应用。

- **VDS（漏源电压）：** -60V
该参数表示MOSFET能够承受的最大漏源电压，适用于需要较高电压耐受能力的应用场景。

- **VGS（栅源电压）：** ±20V
栅源电压范围广泛，确保器件在多种电压条件下稳定工作。

- **Vthtyp（典型阈值电压）：** -1.9V
阈值电压较低，适合低电压驱动的应用，能够有效降低功耗。

- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V：145mΩ
- VGS=10V：120mΩ
低导通电阻意味着在导通状态下损耗较小，适合高效率的电源转换和开关应用。

- **ID（漏极电流）：** -4A
该参数表示MOSFET能够承载的最大漏极电流，适合中等电流的应用场景。


1. **电源管理模块**
SQ4961EY-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效能开关和低功耗的场合。例如，便携式电子设备中的DC-DC转换器、电池充电管理模块等。其低导通电阻和高电流承载能力使其在这些应用中表现出色。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，SQ4961EY-VB 可以用于控制电机的启动和停止。其高电压耐受能力和低阈值电压使其适合用于低电压驱动的电机控制系统，如小型机器人、无人机等。

3. **LED驱动模块**
该器件也适用于LED驱动模块，特别是在需要高效能和低功耗的LED照明系统中。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够有效控制LED的亮度和功耗。