产品简介："### 型号应用简介

**AP9973GM-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款双 N 沟道 MOSFET，采用 **SOP8** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：SOP8
- **沟道类型**：双 N 沟道（Dual-N+N）
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.9V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：130mΩ
- VGS=10V 时：110mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：4A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块



2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：该 MOSFET 适用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人、以及家用电器中的电机控制。其双 N 沟道设计允许在 H 桥电路中实现双向电流控制。
- **模块示例**：在无人机电机驱动模块中，AP9973GM-VB 可用于控制电机的正反转和速度调节，确保电机在低电压下高效运行。

3. **LED 驱动模块**：
- **应用场景**：AP9973GM-VB 可用于 LED 驱动电路，特别是在需要高效率和精确电流控制的场合。其低导通电阻有助于减少功率损耗，延长 LED 寿命。
- **模块示例**：在 LED 照明模块中，该 MOSFET 可用于恒流驱动电路，确保 LED 在不同电压下保持稳定的亮度。