产品简介："**型号简介：IPD90N10S4L-06-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：TO252**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
- **VGS=4.5V时导通电阻：7.7mΩ**
- **VGS=10V时导通电阻：6mΩ**
- **ID（最大漏极电流）：85A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品简介：**
IPD90N10S4L-06-VB 是一款由VBsemi推出的高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，能够在高电压和高电流条件下提供优异的性能表现。

**适用领域：**
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流承载能力，IPD90N10S4L-06-VB非常适合用于电源管理模块，如DC-DC转换器、AC-DC转换器和开关电源等。这些模块通常需要高效率和高可靠性的MOSFET来确保电源的稳定输出。

2. **电机驱动模块**：在电机驱动应用中，该MOSFET可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流能力和低导通电阻使其成为电机驱动模块的理想选择，尤其是在需要高功率输出的场合。

3. **工业自动化设备**：在工业自动化设备中，IPD90N10S4L-06-VB可以用于各种功率开关和控制电路，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和工业机器人等。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。