产品简介："**型号简介：IPD068N10N3 G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：TO252**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single-N
- **漏源电压 (VDS)：** 100V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(on))：**
- VGS=4.5V 时：7.7mΩ
- VGS=10V 时：6mΩ
- **最大漏极电流 (ID)：** 85A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

**产品特点：**
IPD068N10N3 G-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 TO252 封装设计使其在紧凑的空间中也能提供出色的散热性能，适合高功率应用。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，IPD068N10N3 G-VB 非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和电源逆变器等电源管理模块中，能够有效降低功耗并提高效率。

2. **电机驱动模块：** 在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供高效的功率开关，适用于电动工具、家用电器、工业电机等领域的电机驱动模块。

3. **汽车电子模块：** 由于其高可靠性和耐压能力，IPD068N10N3 G-VB 可用于汽车电子中的电源管理、电机控制和电池管理系统等模块，满足汽车电子对高稳定性和高功率密度的要求。

4. **工业控制模块：** 在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于高功率开关电路、电机控制和电源管理模块，确保设备的高效运行和稳定性。