产品简介："**型号简介：AONS66908-VB**

**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
- **RDS(on)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（最大漏极电流）：105A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品简介：**
AONS66908-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻（5.6mΩ @ VGS=10V）和高电流承载能力（105A），适用于高效率、高功率密度的应用场景。其 DFN5X6 封装设计紧凑，适合空间受限的模块设计。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于高效率 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块，能够显著降低功耗并提升系统效率。
- 在服务器电源、通信电源和工业电源中表现优异。

2. **电机驱动模块：**
- 适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动模块，提供高电流输出和低损耗。
- 在 BLDC（无刷直流电机）和步进电机驱动中具有广泛应用。

3. **新能源领域：**
- 适用于光伏逆变器、储能系统和电动汽车（EV）的功率转换模块，支持高电压和高电流工作条件。
- 在电池管理系统（BMS）和充电桩中表现突出。