产品简介："**型号简介：AON6290-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3V
- **RDS(on)（导通电阻）：** 5.6mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 105A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

**产品简介：**
AON6290-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT 技术，具有低导通电阻（5.6mΩ @ VGS=10V）和高电流承载能力（105A），适用于高功率密度和高效率的应用场景。其 DFN5X6 封装设计紧凑，适合空间受限的模块设计。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 适用于开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器等，能够有效降低功耗并提升效率。
2. **电机驱动模块：** 适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动，提供高电流输出和快速开关性能。
3. **汽车电子模块：** 适用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）等，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。
4. **工业控制模块：** 适用于工业自动化设备、伺服驱动器、变频器等，提供稳定的高功率输出和快速响应。
5. **消费电子模块：** 适用于大功率充电器、适配器、LED 驱动等，满足消费电子对小型化、高效化的需求。

AON6290-VB 凭借其优异的性能和紧凑的封装设计，广泛应用于高功率密度和高效率需求的领域，是工程师设计高性能模块的理想选择。"