产品简介："**型号简介：AONS66919-VB**

**品牌：** VBsemi
**封装：** DFN5X6
**沟道类型：** Single-N
**VDS（漏源电压）：** 100V
**VGS（栅源电压）：** ±20V
**Vthtyp（典型阈值电压）：** 3V
**VGS=10V时导通电阻（RDS(on)）：** 5.6mΩ
**ID（最大漏极电流）：** 105A
**技术：** SGT（Super Junction Trench Gate）

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**产品简介：**

AONS66919-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Super Junction Trench Gate）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，体积小巧，适合高密度设计。该器件在 VGS=10V 时，导通电阻仅为 5.6mΩ，最大漏极电流可达 105A，适用于高效率、高功率的应用场景。

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**适用领域及模块：**

1. **电源管理模块：**
- 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块。
- 由于其低导通电阻和高电流能力，能够有效降低功率损耗，提升电源效率。

2. **电机驱动模块：**
- 适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动电路。
- 高电流承载能力和快速开关特性使其能够高效驱动大功率电机。

3. **工业自动化：**
- 适用于工业控制设备中的功率开关和逆变器模块。
- 100V 的耐压能力使其能够应对工业环境中的高电压需求。

4. **新能源领域：**
- 适用于太阳能逆变器、储能系统等新能源设备。
- 低导通电阻和高效率特性有助于提升系统整体性能。