产品简介："**型号简介：AON6292-VB**

**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N（N沟道）**
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
- **RDS(ON)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（最大漏极电流）：105A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）**

**产品特点：**
AON6292-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的SGT技术，具有极低的导通电阻（5.6mΩ）和高电流承载能力（105A），适用于高效率和高功率密度的应用场景。其100V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，使其在多种高压和高频应用中表现出色。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于高效率DC-DC转换器、同步整流器和开关电源模块，能够显著降低功耗并提升系统效率。
- 在服务器电源、通信电源和工业电源中表现优异。

2. **电机驱动模块：**
- 适用于电动工具、无人机、电动汽车（EV）和工业电机驱动模块，能够提供高电流输出和快速开关性能。
- 在BLDC（无刷直流电机）和PMSM（永磁同步电机）驱动中表现突出。

3. **新能源领域：**
- 适用于太阳能逆变器、储能系统和充电桩模块，能够承受高电压和高电流的工作环境。
- 在光伏MPPT（最大功率点跟踪）和储能BMS（电池管理系统）中具有广泛应用。