产品简介："**型号简介：AONS62920-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
- **RDS(on)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（最大漏极电流）：105A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品简介：**
AONS62920-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流处理能力。其封装形式为 DFN5X6，适合高密度 PCB 布局设计。

**应用领域：**
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流能力，AONS62920-VB 非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源开关模块。
2. **电机驱动模块**：在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供高效的功率转换和可靠的性能，适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机控制。
3. **电池管理系统（BMS）**：在电池保护和管理系统中，AONS62920-VB 可用于电池充放电控制，确保系统的高效和安全运行。
4. **工业自动化**：在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于高功率开关和负载控制，适用于 PLC、伺服驱动器等设备。
5. **汽车电子**：在汽车电子领域，AONS62920-VB 可用于车载充电器、DC-DC 转换器、电机驱动等模块，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。