产品简介："**型号简介：BSC040N10NS5-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3V
- **RDS(on)（导通电阻）：** 5.6mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏极电流）：** 105A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench）

**产品简介：**
BSC040N10NS5-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装形式为 DFN5X6，适用于高密度、高效率的电源设计。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，BSC040N10NS5-VB 非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源逆变器模块。
2. **电机驱动模块：** 该 MOSFET 适用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和低损耗的应用中，如电动工具、电动车和工业电机控制系统。
3. **电池管理系统（BMS）：** 在电池保护和管理系统中，BSC040N10NS5-VB 可以用于电池充放电控制，确保高效的能量转换和系统安全。
4. **LED 驱动模块：** 由于其高效率和低功耗特性，该器件也适用于 LED 驱动电路，特别是在需要高亮度和长时间运行的 LED 照明系统中。