产品简介："### 型号应用简介

BSC060N10NS3 G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。
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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: BSC060N10NS3 G-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **典型阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 5.6mΩ（VGS=10V 时）

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### 应用领域与模块

1. **开关电源（SMPS）**
BSC060N10NS3 G-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的开关电源模块，尤其是服务器电源、通信电源和工业电源等高功率应用。其 SGT 技术能够显著降低开关损耗，提升整体效率。

2. **电机驱动**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或 BLDC 电机。其高电流能力和低导通电阻能够有效降低发热，提升系统可靠性，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。

3. **电池管理系统（BMS）**
在电动汽车和储能系统中，BSC060N10NS3 G-VB 可用于电池保护电路和充放电控制模块。其高电压和电流能力能够满足电池组的高功率需求，同时其低导通电阻有助于减少能量损耗。